杭州求时缘半导体科技有限公司

一、硅片类

1~12英寸半导体级直拉单晶硅锭、研磨硅片和抛光硅片、区熔硅片，并可提供 半导体硅片单面/双面抛光、减薄、切割、镀膜等加工服务；

二、氧化硅片

3-8英寸直拉单晶氧化硅片；

氧化层厚度：常规50-5000nm厚度均可定制；

三、SOI绝缘体上硅

4-8英寸，Simox、bonding、smart cut等SOI硅片；

    提供100mm, 125mm, 150mm以及200mmSOI圆片。产品系列包括Smart cut, 键合圆片，高剂量和低剂量SIMOX圆片等，并可根据用户需求外延到所需的顶 层硅厚度。。

    顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器，键合技术以及外 延设备。

四、EPI功率器件用硅外延片

4-8英寸EPI硅片；

    外延片(EPI)指的是在衬底上生长出的半导体薄膜，薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现 在主流的外延材料是氮化镓(GaN)，衬底材料主要有蓝宝石。硅，碳化在三种，量子阱般为5个通常用的生 产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)。

    目前在硅衬底上可以做普通外延层，多层结构外延层，超高阻外延层，超厚外延层，外延层电阻率可 达一千欧姆以上，导电类型为：P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多种类型。 硅外延晶片是用于制造广泛的半导体器件的核心材料，在消费、工业、军事和空间电子学中都有应用。。

五、切割各种尺寸的异性硅片，特殊厚度硅片；

六、Rectifier系列产品

七、MOS 类产品

八、各种半导体包装材料，晶舟盒、单片盒等。